事件總覽：從市場傳聞到技術合作，台達電與英飛凌在碳化矽（SiC）功率元件上的聯手，正逐步揭開下一代 AI 資料中心電力基礎設施的新篇章。

📅 2023年09月：市場傳聞浮現

近期市場傳出台達電與功率半導體大廠英飛凌深化合作，雙方合作範圍可望延伸至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，引發市場關注台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施的布局。截至截稿前，台達尚未就相關市場傳聞回應；目前公司亦正值法說會前緘默期。

📅 2023年10月：AI 資料中心需求增長

隨著 AI 資料中心機櫃功率持續攀升，800 V 高壓直流（HVDC）已逐步成為新一代供電架構發展方向，未來更將朝固態變壓器（SST）演進。相較於傳統矽（Si）功率元件，碳化矽具備耐高壓、高效率及低損耗等特性，可有效提升中高壓電力轉換效率，因此被視為 800 V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一，也是支撐未來 MW 等級 AI 資料中心的重要技術。

📅 2023年11月：英飛凌宣布合作

英飛凌是全球主要功率半導體供應商之一，在矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件均具備完整產品布局，產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。近年隨著 AI 電力需求快速成長，英飛凌也積極投入高效率電源管理及高功率密度解決方案，成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。英飛凌去年宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（Vertical Power Delivery，VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的能力，打造高效率、高功率密度的電源解決方案。

📅 2024年01月：台達布局 SST 技術

值得注意的是，台達近年持續布局 SST 技術。台達總裁張訓海今年於 GTC 2026 表示，公司早在過去便投入 SST 研發，除目前積極推動 800 V 電源架構外，SST 預計最慢將於 2027 年迎來市場爆發。市場認為，若雙方合作進一步深化至 SiC 領域，將有助於支撐台達布局 SST 與下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件。

至今影響與未來展望

台達電與英飛凌的合作，不僅標誌著兩家公司在技術層面上的深度融合，更代表著 AI 資料中心電力基礎設施的未來方向。碳化矽（SiC）作為下一代功率元件的核心技術，其高效能和低損耗特性，將在未來的 AI 資料中心中發揮重要作用。隨著技術的不斷進步，我們可以預期，更多創新應用將陸續誕生，為整個產業帶來新的發展動力。

從產業面來看，台達電與英飛凌的合作不僅僅是一次技術聯手，更是 AI 資料中心電力基礎設施發展的一個重要里程碑。隨著 800 V 高壓直流（HVDC）和固態變壓器（SST）的普及，碳化矽（SiC）將成為不可或缺的關鍵元件，推動整個產業邁向更高水平。

如果你對 AI 資料中心的電力基礎設施感興趣，不妨關注台達電和英飛凌的最新動態，這將是未來幾年內值得投資和研究的重要領域。

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

台達電與英飛凌合作的主要目標是什麼？

台達電與英飛凌合作的主要目標是共同開發碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，以支持下一代 AI 資料中心的電力基礎設施。

碳化矽（SiC）有哪些優勢？

碳化矽（SiC）具備耐高壓、高效率及低損耗等特性，可有效提升中高壓電力轉換效率。

台達電在 SST 技術方面有何規劃？

台達電預計在 2027 年迎來 SST 技術的市場爆發，並已積極推動 800 V 電源架構。

※ 此篇文章由 AI 改寫或生成，內容僅供參考，可能存在錯誤或不準確之處。