事件總覽：從2024年中國成功製造出首台國產28奈米DUV設備，到2023年8月長鑫存儲正式進入首批採購名單，中國半導體產業迎來重大突破。

📅 2024年01月：中國成功製造首台國產28奈米DUV設備

在此之前，中國半導體設備高度依賴進口，尤其在DUV設備上更是如此。然而，根據外媒The Information報導，一家未具名的中國國家支持企業成功製造出28奈米DUV設備，儘管部分關鍵零組件仍需自日本進口，但絕大多數零件已實現國產化。這直接標誌著中國在半導體設備自製化道路上邁出了關鍵一步。

📅 2023年08月：長鑫存儲進入首批採購名單

隨後，中國記憶體大廠長鑫存儲於8月份正式進入中國半導體業者的優先採購名單，成為首批獲得國產DUV設備的企業之一。長鑫存儲近期的IPO引發投資人的空前狂熱，交易首日收盤時，其股價漲幅竟高達近500%。這不僅反映了市場對其技術能力的信心，也凸顯了北京當局對這些半導體核心實體的高度重視。

📅 2023年09月：長鑫存儲擴大產能計劃

在此背景下，長鑫存儲計劃利用這筆龐大的新資金進行激進的產能擴張，目標在2026年年底前，將現有每月約20萬片晶圓的產能，大幅拉升至每月30萬片。此外，公司目前正同步在上海與合肥兩地建設兩座全新的晶圓廠，未來完工後，其總產能將倍增至每月60萬片晶圓的驚人規模。

📅 2023年10月：技術路徑的調整與創新

面對無法取得最先進極紫外光（EUV）設備的困境，長鑫存儲選擇改變技術路徑，將研發重押於下一代的3D DRAM技術。公司利用氟化氬（ArF）浸潤式DUV系統蝕刻多個水平特徵層，並通過混合鍵合技術將其垂直堆疊。為了最大化DUV設備的潛力，公司導入了設計與技術協同最佳化（DTCO）技術，將其與多重曝光技術結合，有效降低了製程變異與邊緣放置誤差（EPE）。

至今影響與未來展望

中國國產DUV量產的消息一出，隨即引發全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）於7月28日在美股市場遭遇沉重賣壓，盤中股價跌幅一度深達8.2%。然而，市場分析師指出，投資人對於此項競爭消息的恐慌似乎有過度放大之嫌。從產業基本面來看，ASML對中國市場及傳統DUV設備的依賴度正顯著降低。數據顯示，DUV占ASML總營收的比例已從2024年的44%下降至上一季的29%；對中國市場的銷售佔比更從2024年的41%驟降至上一季的僅14%，且此下滑趨勢預期將持續。

從產業面來看，中國半導體產業的崛起雖然對全球格局造成一定衝擊，但其技術和產能仍需時間積累。ASML等國際巨頭在技術和市場占有率上的優勢依然顯著，中國企業要想在未來幾年內追趕上，還需要克服諸多挑戰。

中國半導體產業的快速發展不僅對國內經濟具有重要意義，也為全球半導體供應鏈帶來新的變數。讀者可以關注相關動態，了解中國企業如何在國際競爭中尋找突破口。

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

中國國產DUV設備的主要突破有哪些？

中國國產DUV設備的主要突破包括成功製造出28奈米DUV設備，絕大多數零件實現國產化，部分關鍵零組件仍需自日本進口。

長鑫存儲的擴張計劃有哪些？

長鑫存儲計劃在2026年底前將現有每月約20萬片晶圓的產能提升至每月30萬片，並在上海與合肥兩地建設兩座全新的晶圓廠，未來總產能將達到每月60萬片。

中國國產DUV設備對全球半導體產業有何影響？

中國國產DUV設備的量產對全球半導體產業產生了影響，特別是引發了ASML等國際巨頭的股價下跌，但ASML對中國市場的依賴度正在下降，短期內影響有限。

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