一句話總結：在美國圍堵壓力下，三星與SK海力士2025年對中國舊廠投資不減反增，合計投入逾1.3兆韓元，關鍵在於中國廠區貢獻全球NAND與DRAM產量高達三至四成——撤不了、也放不掉。
核心要點
- 三星西安廠佔全球NAND總產量40%，2025年增資4,654億韓元（約3.34億美元），較前一年暴增68%，主要用於生產線升級。
- SK海力士無錫廠供應全球DRAM產量40%，大連廠則佔NAND產量30%，兩廠合計投資超過1兆韓元，年增率分別達102%與52%。
- 美國2025年取消「認證最終用戶」（VEU）資格，兩家公司從此須每年申請許可才能進口美國晶片設備，但投資腳步並未因此停歇。
- 業界傳聞三星與SK海力士已測試中國製設備兩年，為美國出口禁令提前布局，不過兩家公司雙雙否認此說法。
- 傳統DRAM與NAND價格漲幅超越HBM，讓記憶體廠重新審視產線配置。SK海力士大連二廠已復工，預計明年投產，月產能新增4萬至6萬片晶圓，總產能提升50%。
- 三星美國遊說策略同步轉向，從半導體補貼擴及AI、資料中心電網、6G等新興領域，今年上半年支出266萬美元，雖較去年同期減少7%，但議題範圍明顯擴大。
美中科技戰打了這麼多年，如果你是半導體業者，會怎麼選？
三星和SK海力士的答案很直接：投資中國，繼續投資，而且越投越多。從帳面數字來看，這兩家韓國記憶體大廠2025年在中國舊廠的投資金額，幾乎是用「跳躍式」在成長。三星西安廠增資年增68%，SK海力士無錫廠更直接翻倍——這不是什麼「試水溫」，這是梭哈。
背後的原因其實很現實。西安廠佔三星NAND總產量四成，無錫廠扛起SK海力士DRAM總產量四成，大連廠再補上三成NAND。這些中國廠區不是「選配」，是「標配」——要是真的撤了，全球記憶體供需瞬間就會出現一個大洞，價格可能直接失控。
但問題來了。美國在2025年取消了這兩家公司在中國廠區的VEU資格，意思是現在每年都得重新申請許可，才能把美國晶片設備送進中國廠房。這等於在投資的跑道上，每隔一段距離就設一個關卡，跑得再快也得停下來繳文件。
話說回來，韓國企業也不是沒有在準備備案。業界傳出三星和SK海力士過去兩年已經在測試中國製的半導體設備，想方設法繞開美國的出口管制。不過兩家公司都否認了——但說真的，在商言商，誰會老老實實承認自己在「繞道」？這就像問一個廚師是不是偷偷換了食材，他當然說沒有，但端出來的菜味道就是不太一樣。
有趣的是，這一波投資加碼的時機點，剛好碰上傳統DRAM和NAND的價格漲幅超過HBM（高頻寬記憶體）。HBM這幾年因為AI題材被炒得火熱，但回頭一看，傳統記憶體的利潤空間反而悄悄拉開了。這也解釋了為什麼SK海力士敢重啟大連二廠建設——預計明年投產後，每月新增4萬到6萬片晶圓產能，等於把整個廠區產能往上拉五成。三星就沒這麼樂觀了，他們預期晶圓產能要到2028年後才會有明顯成長，腳步相對保守。
同一時間，三星在美國的遊說策略也在轉向。過去談的是半導體補貼和貿易，現在已經擴大到AI、資料中心電網、6G，甚至把智慧財產權政策也端上桌。簡單來說，三星在中國繼續砸錢蓋廠，在美國則是砸錢「喬」政策——兩手策略，一個都沒放。
從產業面來看，記憶體大廠的「中國不撤、美國不放」路線，其實反映了更深層的結構性矛盾。中國廠區的產能佔比太高，這不是說搬就能搬的，搬了成本誰扛？客戶誰接？但美國的出口管制又是現實障礙，每年申請許可的不確定性，等於在長期投資規劃裡埋了一顆不定時炸彈。
所以我認為，接下來兩年會是關鍵轉折點。如果中國製設備的測試真的有成果，哪怕只是部分替代，整個供應鏈的地緣格局會重新洗牌；如果沒有，那每年一次的許可申請就會變成常態，企業只能邊跑邊應付，不會有太大幅度的擴張動作。對一般消費者來說，這件事的終局影響其實很直接——記憶體價格會不會漲、什麼時候漲，都跟這兩家廠商的投資決策脫不了關係。
最後想跟你說的是，這些國際大廠的投資動向，從來不只是財經新聞上的數字而已。看懂三星和SK海力士在做什麼，你就能大概猜到未來一年記憶體的價格趨勢、台灣相關供應鏈的訂單變化，甚至聯準會升息對科技股的影響力道。下次看到類似的新聞，不妨多想一層：這筆錢背後，是誰在跟誰角力？
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由Yahoo奇摩新聞發布。
常見問題 FAQ
三星和SK海力士為什麼不把中國廠區產能移到其他國家？
產能轉移需要數年時間和數十億美元資本支出，中國廠區佔兩家公司NAND與DRAM全球產量高達三至四成，短期內根本沒有其他廠區能補上這個缺口，加上轉移期間的客戶訂單流失風險太高，不是說走就走的決定。
美國取消VEU資格對這兩家公司影響有多大？
影響主要是「麻煩變多」但「還沒斷根」。過去VEU資格等於一次認證、長期有效，現在改為每年申請許可，增加了行政成本和設備進口的時間不確定性，但只要申請通過，還是能拿到美國設備，短期內不至於斷炊。
傳統DRAM價格漲得比HBM還多，這是真的嗎？
根據市場分析機構的價格追蹤，2025年部分時期傳統DRAM和NAND的漲幅確實超過HBM。原因在於AI伺服器需求雖然強勁，但HBM產能持續擴張稀釋了漲價動能，反而是傳統記憶體在PC和手機回補庫存的帶動下，供需出現短期缺口。
三星在美國的遊說支出為什麼反而下降了？
遊說支出下降不代表影響力變小，而是代表遊說策略更聚焦。三星今年上半年支出266萬美元、年減7%，但關注議題從半導體補貼擴大到AI、6G和電網政策，顯示他們不是花更多錢去「鋪天蓋地」，而是調整火力集中在未來三到五年的關鍵戰場。
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