半導體圈這兩天最熱的話題，莫過於韓國記憶體雙雄同時對中國境內的NAND快閃記憶體生產基地發動新一輪投資。三星電子已經著手在西安X2產線導入第九代V9 NAND技術，SK海力士則重啟大連二廠的設備裝機計畫。兩家加起來，2027年之前每個月至少多出8萬片晶圓的先進產能——這可不是小數目。

三星西安廠：280層堆疊背後的蝕刻大考驗

先看三星這邊。他們從2026年上半年就開始在西安X2產線進行V9 NAND的轉型投資，這個V9產品用的是高達280層的堆疊技術，算是目前業界最先進的等級之一。根據業界人士的說法，這波轉型投資能為西安廠確保每月4萬到5萬片的產能。

不過真正讓市場關注的，是三星近期追加的補強投資計畫。這次的關鍵字是「蝕刻設備」。說穿了，當NAND的儲存單元堆到幾百層高時，要在晶圓上打出垂直貫穿的通道孔，難度就像在高樓大廈裡精準地貫穿每一層樓板。蝕刻技術的精確度，直接決定了這些通道能不能順利導通電子。三星預計明年下半年啟動這波補強，相關設備採購訂單會在2027年底前明朗化。

這裡有個值得記住的知識點：NAND的層數競爭已經從「疊高」進化到「打通」。當層數突破200層，蝕刻設備的投資占比會大幅拉高，誰能掌握更深、更直的通道孔，誰就能在良率上拉開差距。

SK海力士大連廠：擱置三年的擴產終於重啟

SK海力士這邊的故事也很有戲。他們的大連晶圓廠是2020年下半年收購英特爾NAND業務時接手的資產，2022年雖然辦了大連二廠的動土儀式，但後續設備裝機因為市場景氣下行，一擱就是好幾年。

現在風向變了。AI伺服器對高速儲存的需求把NAND市場從谷底拉了回來，SK海力士決定從2026年第三季起，在大連二廠啟動新一輪設備投資，目標是每月3萬片晶圓的產能。一位業界知情人士透露，核心製造設備從下個月就會陸續進廠安裝，2027年上半年之前完成裝機。

把兩家的數字加起來——三星西安廠每月4到5萬片，SK海力士大連廠每月3萬片——2027年之前，中國境內至少每個月多出7到8萬片先進NAND產能。這還只是兩家公開宣布的部分。

為什麼是現在？兩個被忽略的背景訊號

很多人會問：地緣政治風險擺在那邊，為什麼韓國廠商還敢加碼中國？

第一個原因是市場距離。中國是全球最大的NAND消費市場，智慧型手機、伺服器、車用電子全都需要大量儲存晶片。在中國生產、在中國交貨，成本結構和關稅條件就是比從韓國本土或美國廠出貨更有競爭力。

第二個原因是AI需求的結構性變化。AI伺服器需要的不只是HBM這種高頻寬記憶體，企業級SSD對大容量、高速度的NAND需求也在同步飆升。三星的V9 NAND和SK海力士的先進產品，瞄準的正是這塊高單價市場。與其說他們在擴充產能，不如說他們在卡位AI儲存供應鏈的戰略位置。

【編輯觀點】從產業面來看，這兩筆投資透露的訊息不只是「需求回來了」這麼簡單。更值得關注的是，三星和SK海力士不約而同地把先進製程產能放在中國，等於是在地緣政治夾縫中走了一條務實路線——用中國廠滿足中國市場，用韓國本土廠滿足歐美客戶。這種「雙軌產能布局」未來可能成為半導體廠的標準配置。但對臺灣的NAND相關供應鏈來說，這代表競爭壓力不是來自對岸的長江存儲，而是來自韓國廠商在中國的在地化生產。誰能更快打入這兩家韓廠的蝕刻、材料、設備供應鏈，誰就有機會吃到這波擴產紅利。

市場回暖是真復甦還是假訊號？

話說回來，這波擴產決策背後還有一個懸念：NAND市場的供需平衡其實還很脆弱。2023到2025年這波景氣下行，讓所有記憶體廠都吃足了苦頭，SK海力士當年擱置大連投資就是最好的例子。

現在雖然AI需求撐住了高階產品的價格，但中低階NAND的庫存水位仍在高檔。三星和SK海力士同時擴產，短期內對設備供應商是利多，但到了2027年新產能大量開出時，如果AI需求沒能如期擴散到更多終端應用，供需逆轉的風險絕對存在。

換個角度想，這兩家韓廠其實是在賭一個長期趨勢：資料中心從傳統伺服器全面轉向AI伺服器的時間點，會比市場預期來得更快。賭對了，現在投資的每一塊錢都是未來的競爭壁壘；賭錯了，就是重蹈過去幾年產能過剩的覆轍。

對一般讀者來說，這個新聞的意義可能很遙遠。但如果你用的手機、電腦、或公司伺服器裡的SSD，未來兩年可能會因為這波產能擴張而變得更快、更便宜——或者反過來，因為韓廠寡占態勢更穩固而維持高價。這件事的影響，其實比你想像的更貼近日常生活。

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

三星和SK海力士在中國擴充NAND產能的具體規模是多少？

三星西安廠預計每月增加4萬至5萬片晶圓產能，SK海力士大連廠則為每月3萬片，合計每月約7到8萬片，目標在2027年前完成裝機投產。

為什麼韓國記憶體廠商還要加碼投資中國？

主要考量是貼近中國龐大的終端消費市場，降低運輸與關稅成本；同時AI伺服器帶動企業級SSD需求，在中國設廠能更快速回應客戶訂單。

NAND快閃記憶體的「層數」代表什麼？

層數代表儲存單元的垂直堆疊數量，層數越高單位面積能儲存更多資料。三星V9 NAND的280層屬於目前最先進規格，層數增加也讓蝕刻製程的難度和重要性大幅提升。

這波擴產對臺灣半導體供應鏈有什麼影響？

短期對設備、材料、蝕刻製程等相關供應商是正面消息；中長期需觀察韓廠在地化採購比例，臺灣廠商必須搶進韓廠供應認證才有機會受惠。

NAND市場會不會因為擴產再度供過於求？

若AI需求擴散速度不如預期，2027年新產能大量開出後確實有供需失衡風險，目前業界普遍認為高端產品影響較小，中低階產品壓力較大。

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