中國先進製程半導體的自給率，可望在未來十年內從個位數飆升至接近七成。這不是官方喊話，而是高盛集團（Goldman Sachs）最新一份報告的具體預測數字。

根據這份外資報告，中國7奈米及以下先進製程晶圓的本土供應比重，將從2025年的僅約8%，一路攀升至2035年的66%。換句話說，對應的供應短缺率將在同一時期從92%急劇收窄至34%。高盛並預估，到2035年時中國對先進製程晶圓的月需求量將達到61.9萬片，而本土供應量則有望增加到41萬片。

這個數字背後隱含的成長曲線，確實陡峭得令人側目。高盛預測在2025至2035年間，中國7奈米及以下先進製程晶圓的供應量將以年均46%的速度擴張，遠高於同期17%的需求年均成長率。而這股動能的最大來源，毫無疑問是生成式AI熱潮——光是AI伺服器用的先進晶圓需求，年均成長率就預估高達42%。

中芯國際扛起產能擴張大旗，但良率是硬傷

這波產能擴張的核心主力，依舊是中國最大晶圓代工廠中芯國際（SMIC）。根據高盛的假設模型，中芯在2026年至2031年間，每年將新增月產能3萬至5萬片的先進製程產能，而2032年至2035年間每年則再追加2萬片。

數字是一回事，能不能做出來、做好，又是另一回事。報告中指出，中芯國際先進製程的晶圓良率預計將從2026年的23%提升至2030年的50%，並在2035年進一步達到75%。這個進步幅度如果成真，確實是飛躍性的成長——但做個對照就清楚了：台積電在7奈米製程的良率早已超過90%。

中芯曾在2023年突破美國先進設備的出口管制，成功為華為生產7奈米級晶片，技術實力確實不可小覷。但「做出來」跟「做得快、做得多、做得好」，在晶圓代工的世界裡是截然不同的兩回事。

資本支出暴增79％，錢砸下去就能換到自主？

高盛也將中國半導體產業2030年的資本支出預測提高至820億美元，比一年前的預測值大幅調升了79%。這個增幅背後有兩個關鍵驅力：一是生成式AI帶來的強勁需求，二是半導體國產化進程的全面推進。

從整體產量來看，中國半導體的生產自給率已從2010年1月的38%，顯著成長至2026年6月的約70%。但這個數字藏著一個陷阱——如果以「金額」為基礎計算，自給率依然偏低。白話文說就是：中國在成熟製程與通用半導體上確實衝得快，但論及先進製程及高附加價值產品，依然高度依賴海外進口。

錢砸了、廠蓋了、產能數字也漂亮，但真正能從中賺到多少錢，是另一個層次的問題。

EUV曝光機仍是那道過不去的坎

在晶圓製造設備市場方面，中國本土設備商的營收占比預估將從2026年的31%成長至2028年的38%。但「曝光機」三個字，至今仍是中國半導體自主化最痛的軟肋。

目前在深紫外線（DUV）曝光機上，中國仍高度依賴荷蘭艾司摩爾（ASML）；而用於更微細製程的極紫外線（EUV）曝光機，則因為美國出口管制而幾乎無法取得。高盛報告也點出，這類設備限制將是中國縮短與國際先進製程良率和技術差距的最大阻礙。

說穿了，沒有EUV，7奈米以下製程的良率和成本就很難跟台積電、三星站在同一個擂台上比劃。這不是砸錢蓋廠就能繞過去的硬限制。

記憶體戰場：長鑫儲存產能翻倍，但技術落後仍無解

在記憶體晶片領域，中國最大DRAM業者長鑫儲存（CXMT）的產能擴張同樣備受關注。根據預估，長鑫儲存的月產能將從2026年的約27萬片晶圓，擴大至2028年的44.7萬片，並於2030年達到66.5萬片。該廠商預估將在2028年滿足中國約50%的DRAM需求以及40%的高頻寬記憶體（HBM）需求。

長鑫儲存目前在合肥設有兩座、北京設有一座12吋DRAM晶圓廠，每座工廠的月產能估計約為10萬片。若未來上海、合肥及北京的新建生產設施全面投入運作，總產能將比目前攀升一倍以上。

但產能翻倍不代表技術追上了。高盛評估，由於在先進DRAM及HBM技術上依然落後，且同樣受到EUV引進限制的制約，長鑫儲存與三星電子、SK海力士等全球一線DRAM廠的技術差距，短期內恐怕還是看不到縮小的跡象。因此，中國市場在先進記憶體方面仍將維持對全球龍頭廠商的依賴，三星與SK海力士在中國市場的業務空間依然穩固。

編輯觀點：這份高盛報告給出了一個樂觀的數字框架，但我們得冷靜看待「自給率66%」這個預測。它建立在「中芯良率在2035年達75%」的前提上，而這個前提又建立在「每年穩定擴產且技術迭代順利」的理想情境上。但半導體製造不是數學模型，沒有EUV機台，7奈米以下的良率要從23%拉到75%，中間的工程難題不是時間可以自然化解的。對一般讀者來說，與其關注「幾年後達到幾％」，不如關注一個更根本的指標：中國什麼時候能自己做出EUV曝光機？在那之前，所有自給率的預測，都得先打上一個問號。

從宏觀角度來看，中國半導體產業的國產化進程確實正在發生，而且速度不慢。但從微觀的技術節點來看，設備、材料、良率、專利——每一道檻都是硬仗。

高盛的報告給了一個十年後的願景，但真正決定這條路走得順不順的，不是產能數字，而是那道關於EUV的題目，什麼時候能寫出答案。

你覺得十年後中國先進半導體自給率真的能衝到66%嗎？或者更根本的問題是：在EUV設備禁令不解除的情況下，這個數字有沒有可能只是紙上談兵？

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

中國先進半導體自給率目前大約多少？

根據高盛報告，2025年中國7奈米及以下先進製程晶圓的自給率僅約8%，供應短缺率高達92%。

中芯國際的良率跟台積電差多少？

中芯國際7奈米製程良率預計2026年約23%，目標2035年提升至75%；而台積電7奈米良率已超過90%，雙方差距仍然顯著。

EUV曝光機為何是中國半導體自主化的最大障礙？

因為EUV是生產7奈米以下先進製程的關鍵設備，但受美國出口管制無法取得，沒有EUV就很難在良率和成本上與台積電、三星競爭。

長鑫儲存的DRAM產能擴張計畫是什麼？

長鑫儲存月產能預計從2026年27萬片擴大到2028年44.7萬片，2030年達66.5萬片，並預估2028年可滿足中國約50%的DRAM需求。

高盛對中國半導體資本支出的預測是多少？

高盛將中國半導體產業2030年資本支出預測提高至820億美元，比一年前的預測值大幅調升了79%。

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